简要总结
本视频主要讨论了英特尔的先进封装技术EMIB，以及它如何成为台积电COAS的替代方案。分析师指出，EMIB的良率已达到90%，并被Google和辉达等公司计划应用于下一代处理器中。视频还对比了EMIB与台积电COAS-L的技术差异，并介绍了EMIB的不同类型及其它英特尔的封装技术，如Foveros系列。
- 英特尔EMIB封装技术良率已达90%，成为台积电COAS的潜在替代方案。
- Google和辉达计划在下一代处理器中采用EMIB技术。
- 视频对比了EMIB与台积电COAS-L的技术差异，并介绍了EMIB的不同类型。
台积电COAS产能吃紧与英特尔EMIB的崛起
随着台积电在先进封装技术（如芯片堆叠和晶圆堆叠）上的产能变得紧张，市场开始关注英特尔的嵌入式多芯片互连桥接（EMIB）封装技术。分析师透露，EMIB的良率目前已达到90%的水平，这使其被视为台积电COAS的替代方案。Google计划将EMIB应用于下一代张量处理器（TPU），而辉达也计划将EMIB导入下一代Faemon图形处理器（GPU）。
EMIB技术详解
英特尔的嵌入式多芯片互连桥接（EMIB）技术利用嵌入导线载板的细芯片桥接图形处理器（GPU）与高频宽存储器（HBM）。这与台积电的COAS-L所使用的区域互连桥接类似。然而，台积电未使用嵌入导线载板，而是使用模塑化合物。EMIB分为EMIB-M和EMIB-T两种技术，统称为EMIB-2.5D。
EMIB-M与EMIB-T技术
EMIB-M技术在细桥接芯片中采用金属绝缘体金属（MIM）结构，以降低杂讯、强化电源传输并进行讯号匹配。EMIB-T技术则在细桥接芯片中采用细穿孔（TSV）技术。这两种技术通常被称为EMIB-2.5D。
英特尔的其它先进封装技术：Foveros系列
除了EMIB，英特尔的先进封装技术还包括Foveros系列。Foveros S2.5D使用细中介板，类似于台积电的COWAS。Foveros R2.5D使用导线重布层（RDL），也类似于台积电的COWAS。Foveros Direct 3T使用同对同混合建核界面（HBI），即同柱对同柱加热加压产生间接互连。此外，还可以结合EMIB 2.5D与Foveros在同一个封装中，统称为EMIB 3.5D。
总结与展望
台积电拥有的先进封装技术，英特尔也有。 那么，你认为两家公司谁的先进封装技术更胜一筹呢？
